类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | 制造商包装标识符 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 无卤素 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大双电源电压 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大结点温度(Tj) | 场效应管特性 | 栅源电压 | 环境温度范围高 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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US6M1TR | ROHM Semiconductor | 数据表 | 6000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Leads | 6 | SILICON | 25 ns | 2 | 1.4A 1A | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e2 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | SMD/SMT | EAR99 | 280MOhm | Tin/Copper (Sn/Cu) | 1W | 260 | 1.4A | 10 | 6M1 | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 1W | N and P-Channel | SWITCHING | 240m Ω @ 1.4A, 10V | 2.5V @ 1mA | 70pF @ 10V | 2nC @ 5V | 8ns | 30V 20V | N-CHANNEL | 10 ns | 1A | -12V | -20V | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 2.5 V | 770μm | 2mm | 1.7mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4884 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 3000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2W | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 13m Ω @ 10A, 10V | 2.7V @ 250μA | 1950pF @ 20V | 33nC @ 10V | 40V | 10A | 20V | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M6FRATB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 50000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 5A Ta 3.5A Ta | 2 | 150°C | Cut Tape (CT) | 2016 | Automotive, AEC-Q101 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 未说明 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | N and P-Channel | SWITCHING | 51m Ω @ 5A, 10V, 90m Ω @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 230pF @ 10V 490pF @ 10V | 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V | 30V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 5A | 0.082Ohm | 20A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HIP2100IBTS2075 | Intersil | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Intersil | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
QS8M13TCR | ROHM Semiconductor | 数据表 | 6000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 52 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | SILICON | 6A 5A | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 锡铜 | 1.5W | DUAL | 260 | 10 | *M13 | 8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | N and P-Channel | SWITCHING | 28m Ω @ 6A, 10V | 2.5V @ 1mA | 390pF @ 10V | 5.5nC @ 5V | 40ns | 30V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 5A | 20V | 6A | 0.039Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFC4627R-A-TR | ON Semiconductor | 数据表 | 4708 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 4-XFBGA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EMH2408-TL-H | ON Semiconductor | 数据表 | 2278 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 2 Weeks | LIFETIME (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 30 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 1.2W | 8 | Dual | 9.2 ns | 2 N-Channel (Dual) | 45m Ω @ 4A, 4.5V | 无卤素 | 345pF @ 10V | 4.7nC @ 4.5V | 60ns | 20V | 38 ns | 4A | 12V | 逻辑电平门 | 750μm | 2mm | 1.7mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UPA1915TE(0)-T1-AT | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Renesas Electronics America Inc | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3507 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | Surface Mount, Wettable Flank | 8-PowerVDFN | 8 | SILICON | 2 | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 逻辑电平兼容 | 54W | FLAT | 未说明 | not_compliant | 未说明 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2 N-Channel (Dual) | 8.2m Ω @ 17A, 10V | 2.2V @ 22μA | 无卤素 | 3050pF @ 25V | 39nC @ 10V | 40V | 20A | 40V | 145 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8958 | ON Semiconductor | 数据表 | 400 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SILICON | 2 | 19.8 ns | 7A 5A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | PowerTrench® | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | Tin (Sn) | 900mW | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 7A | 未说明 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | N and P-Channel | SWITCHING | 28m Ω @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 789pF @ 10V | 26nC @ 10V | 9.7ns | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 12.3 ns | 5A | 20V | 7A | 0.028Ohm | 30V | 20A | 54 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008NBKS,115 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | 368 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | SILICON | 2 | 69 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | Tin (Sn) | 鸥翼 | 6 | AEC-Q101; IEC-60134 | R-PDSO-G6 | 2 | 增强型MOSFET | 445mW | 15 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 1.4 Ω @ 350mA, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 50pF @ 15V | 0.68nC @ 4.5V | 30V | 350mA | 8V | 0.35A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150°C | 逻辑电平门 | 150°C | 1.1mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ418-TL-E-SY | Sanyo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Sanyo | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC1016UPD-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | 24425 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | 8 | 9.5A 8.7A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2.3W | 未说明 | 未说明 | N and P-Channel | 17m Ω @ 11.8A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 1454pF @ 6V | 32nC @ 8V | 12V 20V | 8.7A | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON3820 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 6000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8A Ta | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | AlphaMOS | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 8.9m Ω @ 8A, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 1325pF @ 12V | 20nC @ 4.5V | 24V | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO8830 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 60000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.5W | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 27m Ω @ 6A, 10V | 1V @ 1mA | 290pF @ 10V | 5.2nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSO215C | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1999 | SIPMOS® | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 逻辑级 | 8541.29.00.95 | 2W | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 3.1A | 未说明 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | N and P-Channel | 100m Ω @ 3.7A, 10V | 2V @ 10μA | 246pF @ 25V | 11.5nC @ 10V | 20V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 3.7A | 0.1Ohm | 14.8A | 20V | 26 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDMD8580 | ON Semiconductor | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | 8 | 94.85095mg | 16A Ta 82A Tc | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin (Sn) | 2.3W | 未说明 | not_compliant | 未说明 | Dual | 2 N-Channel (Dual) | 4.6m Ω @ 16A, 10V | 4.5V @ 250μA | 5875pF @ 40V | 80nC @ 10V | 80V | 82A | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4886 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | 3000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2W | 增强型MOSFET | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 80m Ω @ 3A, 10V | 2.7V @ 250μA | 942pF @ 50V | 20nC @ 10V | 100V | 3.3A | 20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K11GZETB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 2500 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 无 | 表面贴装 | CUT TAPE | Lead free / RoHS Compliant | 3.5(A) | 30(V) | Military | SOP | -55C to 150C | ±20(V) | Enhancement | 2 | 卷带 | 功率MOSFET | 8 | N | 2(W) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | 数据表 | 70 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | 3.005049mg | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 250mW | FLAT | 260 | 40 | 6 | 不合格 | Dual | 增强型MOSFET | 250mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 2 Ω @ 50mA, 5V | 1V @ 250μA | 50pF @ 25V | 50V | 280mA | 12V | 3Ohm | 50V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 5 pF | 600μm | 1.6mm | 1.2mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STC6NF30V | STMicroelectronics | 数据表 | 36000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | SILICON | 2 | 32 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | STripFET™ II | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 低阈值 | 30V | 1.5W | 鸥翼 | 260 | 6A | 10 | STC6NF | 8 | 增强型MOSFET | 1.5W | 20 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 25m Ω @ 3A, 4.5V | 600mV @ 250μA | 800pF @ 25V | 9nC @ 2.5V | 25ns | 25 ns | 6A | 12V | 6A | 0.03Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N44FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | 4000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SILICON | SON6-P-0.50 | 200 ns | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 150mW | FLAT | SSM6N44 | 2 | Dual | 增强型MOSFET | 150mW | 50 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 4 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100μA | 8.5pF @ 3V | 30V | 100mA | 20V | 0.1A | 7Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150°C | 逻辑电平门 | 600μm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM5N16FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | USV | 20 V | 70 ns | 600 mV | 200 mW | N-Channel | + 150 C | - 10 V, + 10 V | 0.000212 oz | 东芝半导体与存储 | 3000 | SMD/SMT | 40 mS | Enhancement | Toshiba | Toshiba | MOSVI | 3 Ohms | Details | 125 ns | 100 mA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 100mA (Ta) | 150°C | 切割胶带 | - | MOSFETs | Si | Dual | 2 Channel | 200mW (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | 3Ohm @ 10mA, 4V | 1.1V @ 100μA | 9.3pF @ 3V | - | 20V | MOSFET | Standard | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK4085LS-CB11 | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | onsemi | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MCH6663-TL-H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Leads | YES | 6 | SILICON | 1.8A 1.5A | 2 | 10.5 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 800mW | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 800mW | 3.4 ns | N and P-Channel | 188m Ω @ 900mA, 10V | 无卤素 | 88pF @ 10V | 2nC @ 10V | 3.6ns | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 4 ns | 1.5A | 20V | 1.8A | 0.188Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 |
US6M1TR
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO4884
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.453363
SP8M6FRATB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
HIP2100IBTS2075
Intersil
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
QS8M13TCR
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EFC4627R-A-TR
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
1.592868
EMH2408-TL-H
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
UPA1915TE(0)-T1-AT
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IPG20N04S4L08AATMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
15.199263
FDS8958
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NX3008NBKS,115
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
1.276141
2SJ418-TL-E-SY
Sanyo
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMC1016UPD-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8.557159
AON3820
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO8830
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSO215C
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDMD8580
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO4886
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
4.664198
SH8K11GZETB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN5010VAK-7
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.129463
STC6NF30V
STMicroelectronics
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SSM6N44FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.523543
SSM5N16FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SK4085LS-CB11
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MCH6663-TL-H
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
